LDTC114TWT1G 时间：2025/8/13 5:40:47 阅读：27

LDTC114TWT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用了先进的工艺技术，提供了优异的热性能和电气性能，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电路。LDTC114TWT1G 封装为 SOT-23，是一种小型化的表面贴装封装，适合在空间受限的环境中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：100V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：100mA
　　功耗 (Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 3.5Ω @ Vgs = 10V
　　阈值电压 (Vgs(th))：1V 至 2.5V
　　输入电容 (Ciss)：50pF @ Vds = 50V
　　反向传输电容 (Crss)：8pF @ Vds = 50V
　　

特性

LDTC114TWT1G 具备多项优异特性，适用于多种电源管理应用。
　　首先，该 MOSFET 的漏源电压高达 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换电路，如 DC-DC 转换器和负载开关。其栅源电压为 ±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器或驱动 IC 配合使用。
　　其次，LDTC114TWT1G 的连续漏极电流为 100mA，虽然电流能力相对较小，但足以满足低功率开关应用的需求，如便携式设备中的电源管理电路。该器件的功耗为 300mW，在 SOT-23 封装中具有良好的热管理能力，能够在有限的空间内保持稳定工作。
　　此外，LDTC114TWT1G 的导通电阻最大为 3.5Ω，在 Vgs = 10V 时能够实现较低的导通损耗，提高整体系统效率。其阈值电压范围为 1V 至 2.5V，确保了良好的栅极控制性能，适用于不同电压等级的驱动电路。　　最后，SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于自动化生产，适用于大规模制造和高密度 PCB 设计。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

LDTC114TWT1G 主要应用于需要高效电源管理的场合。其高耐压特性使其适用于中高压 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。由于其小型 SOT-23 封装，该器件特别适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。此外，LDTC114TWT1G 还可用于工业控制系统、传感器电路和低功耗逻辑开关电路。在这些应用中，它能够提供可靠的开关性能，同时降低功耗并提高整体系统效率。