型号：K7267D
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ @ Vgs=10V, 7mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1200pF @ Vds=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：22ns
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）
　　最大功耗（Pd）：2.5W @ Ta=25°C

K7267D 具备优异的电气性能与热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在高效率电源转换应用中表现尤为突出。该器件的典型导通电阻仅为5.8mΩ（在Vgs=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了系统的整体能效，特别适用于电池供电设备或对温升敏感的设计。其14A的最大连续漏极电流能力，使其能够胜任较高功率级别的负载切换任务，例如在同步整流DC-DC变换器中作为主开关管使用。
　　该MOSFET采用先进的沟道设计与优化的硅工艺，确保了快速的开关响应特性。开启延迟时间约为12ns，关断延迟时间为22ns，配合较低的输入电容（1200pF），使其在高频开关应用中具备出色的动态性能，减少了开关过程中的交越损耗，进一步提高了电源系统的转换效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）也意味着驱动电路所需的驱动功率更小，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。
　　K7267D 还具备良好的热性能，其封装设计增强了散热能力，能够在有限的PCB布局下有效传导热量。尽管其最大功耗标称为2.5W（在环境温度25°C时），但在合理设计的散热条件下（如增加铜箔面积或使用散热过孔），实际可承受更高的瞬时功耗。此外，该器件的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级应用场景。
　　安全性方面，K7267D 内部结构具备一定的抗雪崩能量能力，能够在意外过压或感性负载切断时提供一定程度的自我保护。其栅极氧化层经过强化处理，可承受高达±20V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的器件损坏。综合来看，K7267D 是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适用于现代高效能电子系统中的关键开关元件。

K7267D 主要应用于各类需要高效功率开关的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在降压型（Buck）、升压型（Boost）以及降压-升压型（Buck-Boost）DC-DC转换器中作为主开关或同步整流开关使用。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中被广泛采用，以提高电池续航能力和系统能效。
　　在电机驱动领域，K7267D 可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低边或高边开关管，实现精确的速度和方向控制。其快速开关特性有助于减少电机驱动过程中的能量损耗，并降低发热问题。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，尤其是大功率LED照明系统中的恒流控制开关。通过脉宽调制（PWM）方式调节占空比，K7267D 能够高效地控制LED亮度，同时保持较低的导通损耗。
　　在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等设备的待机电源或辅助电源模块中，K7267D 同样发挥着重要作用。其小型表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模批量制造。工业控制系统中的传感器供电模块、继电器驱动电路以及电池管理系统的充放电控制单元也是其典型应用场景。总之，凡涉及中等电压、中高电流、高效率开关操作的场合，K7267D 均是一个可靠且高效的选择。

TPS7267D
　　Si4946EY
　　IRLML6244
　　AOZ1284CI