频率：32.768 kHz
　　负载电容（CL）：7 pF
　　频率容差：±20 ppm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　激励电平：1 μW（典型值）
　　老化率：±3 ppm/年
　　封装类型：2012（公制），表面贴装

ST2012SB32768C0HPWB2是一款高性能的32.768 kHz晶体，具有优异的频率稳定性和低功耗特性。该晶体设计用于满足实时时钟（RTC）模块、微控制器系统、低功耗传感器和可穿戴设备等应用的严格要求。其±20 ppm的频率容差确保了时间精度，适用于各种对时间准确性要求较高的嵌入式系统。该晶体的工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级环境条件，能够在严苛环境中保持稳定运行。
　　此外，ST2012SB32768C0HPWB2采用低激励电平设计，典型值仅为1 μW，有助于降低整体功耗，延长电池供电设备的续航时间。其老化率控制在±3 ppm/年以内，确保长期使用的稳定性。晶体封装为2012（公制）表面贴装形式，便于自动化生产和高密度PCB布局，适用于现代电子制造流程。
　　这款晶体还具有优异的抗振性和可靠性，符合RoHS环保标准，适合用于汽车电子、医疗设备、智能家居和工业控制系统等高要求应用。

ST2012SB32768C0HPWB2广泛应用于需要高精度计时的电子设备中，如实时时钟（RTC）模块、智能电表、便携式医疗设备、穿戴式电子产品、安防系统、汽车电子控制单元（ECU）、无线传感器网络和低功耗物联网（IoT）设备。其低功耗和高稳定性特点，使其成为电池供电设备的理想选择。

ECS-TXO-32768HZ-SS-1, CX32768GA070QCWA, C327KHZ32S005CG