型号：CL02JT12N
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：0402 (1005 metric)
　　电容值：12pF
　　额定电压：50V DC
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　电容公差：±0.1pF 或 J级 (±5%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　最大厚度：0.55mm
　　端接类型：三层金属化端子（TSM）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）

CL02JT12N所采用的C0G（NP0）电介质材料是目前最稳定的陶瓷材料之一，具备近乎理想的电容温度特性。这意味着在整个工作温度范围内，电容值不会随温度变化而发生显著漂移，特别适用于对频率稳定性要求极高的应用场景，例如石英晶体振荡器的负载电容或PLL（锁相环）电路中的调谐元件。这种材料还具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），使得电容器在高频下仍能保持高效能量传输，减少发热和信号衰减。此外，C0G材质几乎不存在电压系数效应，即施加直流偏压时电容值基本不变，这与X7R、Y5V等高介电常数材料形成鲜明对比，后者在电压升高时电容会大幅下降。
　　该器件的小型化封装使其非常适合现代高密度PCB布局需求。随着移动设备不断向轻薄化发展，元器件尺寸的缩小成为关键因素。CL02JT12N在保证电气性能的同时实现了微型化，有助于节省宝贵的电路板空间。同时，其三层端子结构（TSM）设计提升了焊接可靠性和抗弯曲性能，有效防止因PCB弯折或热膨胀差异引起的焊点开裂问题，提高了整机的长期可靠性。这一特性在手持设备和汽车电子中尤为重要。
　　CL02JT12N还具备优异的高频响应能力，自谐振频率（SRF）较高，可在GHz频段内稳定工作，因此广泛用于射频前端模块中的阻抗匹配网络。其稳定的电气参数也使其成为精密模拟电路中的理想选择，例如ADC/DAC参考电压滤波、传感器信号调理电路等。此外，该电容无压电效应，不会因机械振动产生噪声电压，进一步保障了信号完整性。整体而言，CL02JT12N是一款高性能、高可靠性的MLCC产品，专为对稳定性、精度和空间效率有严苛要求的应用而设计。

CL02JT12N因其卓越的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于各类高性能电子系统中。在无线通信领域，它常用于射频放大器、混频器和天线匹配网络中，作为高频旁路或耦合电容，确保信号路径的阻抗匹配和最小插入损耗。在时钟生成电路中，该电容器可用作晶体振荡器的负载电容，帮助维持精确的振荡频率，提升系统时序精度。此外，在高速数字系统中，CL02JT12N可用于电源去耦，尤其是在对噪声敏感的模拟电源引脚附近，提供稳定的局部储能并抑制高频干扰。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能手表，CL02JT12N用于摄像头模组、音频编解码器和传感器接口电路中，发挥其体积小、性能稳的优势。在汽车电子方面，尽管该型号不一定是AEC-Q200完全认证版本，但类似规格的C0G MLCC常用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，满足高温环境下长期运行的需求。工业控制系统、医疗监测设备以及测试测量仪器也大量采用此类高精度电容，以确保信号链的准确性和系统的可重复性。总之，凡是对电容稳定性、频率响应和长期可靠性有严格要求的场合，CL02JT12N都是一个值得信赖的选择。

GRM1555C1H12NJ01D
　　CC0402JRNPO9BN12N
　　LC0402AT12NJ50B