类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：5A
　　最大功耗（PD）：60W
　　电流增益（hFE）：80-800（根据不同档位）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　最大工作频率（fT）：4MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：180V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大饱和压降（VCE(sat)）：1.2V（典型值）

WSD501H 具备多项优异的电气和热性能，适用于中高功率应用场合。
　　首先，该晶体管具有较高的最大集电极-发射极电压（VCEO）为150V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作需求。其最大集电极电流为5A，能够在较大的负载条件下稳定运行。
　　其次，WSD501H 采用了先进的制造工艺，使其具有较高的电流增益（hFE），范围在80至800之间，具体取决于器件的分档。这使得该晶体管在信号放大和开关应用中均具有良好的性能表现。
　　此外，该器件的最大饱和压降仅为1.2V，有助于降低导通损耗，提高整体能效。同时，其最大工作频率可达4MHz，使其能够在较高频率下工作，适用于高频开关电源等应用场景。
　　在封装方面，WSD501H 采用标准的 TO-220 封装，具备良好的散热性能，便于安装和使用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣的工作环境。
　　最后，WSD501H 具备良好的稳定性和可靠性，在长时间运行过程中表现出色，适用于工业控制、电源适配器、LED驱动、电机控制等关键应用。

WSD501H 广泛应用于多种功率电子设备中，适用于需要高电压、中等电流控制的场景。
　　首先，在开关电源中，WSD501H 可作为主开关管或辅助开关管，用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块等，其高耐压和高电流能力能够满足多种电源拓扑结构的需求。
　　其次，在电机驱动电路中，该晶体管可用于控制直流电机的启停和转速调节，适用于电动工具、小型家电、工业自动化设备等。
　　此外，WSD501H 也可用于LED照明驱动电路，作为恒流控制开关，确保LED灯的稳定亮度和长寿命。
　　在工业控制领域，该晶体管常用于继电器驱动、电磁阀控制、传感器信号放大等场合，提供可靠的开关和放大功能。
　　由于其良好的热稳定性和高频响应，WSD501H 还可用于音频放大器、脉宽调制（PWM）控制器等模拟和数字电路中。

MJ15003G、TIP30C、2N6387、BDW93C