时间：2025/8/17 19:19:51
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88F6-BRT4 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 子公司）生产的射频（RF）晶体管，属于高性能硅双极晶体管（Si Bipolar Transistor）系列，适用于高频和超高频应用。该器件专为在射频放大和射频开关电路中提供卓越的性能而设计，广泛应用于通信系统、雷达设备、测试仪器和工业控制系统等领域。
晶体管类型：NPN 型射频双极晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大耗散功率（PD）：300 mW
频率范围：最高可达 250 MHz
增益带宽积（fT）：250 MHz
封装类型：TO-92
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
88F6-BRT4 是一款专为射频应用设计的高性能晶体管，具备低噪声、高线性度和优异的频率响应特性。其主要特点包括低噪声系数，适用于射频前置放大器设计；高截止频率（fT）达到 250 MHz，使其能够在高频环境下保持良好的增益性能；NPN 结构提供良好的电流放大能力，适用于低功率射频信号放大和开关应用。
此外，该晶体管采用 TO-92 封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在工业和通信设备中使用。88F6-BRT4 还具备较高的击穿电压和稳定的温度特性，可在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，适用于对可靠性要求较高的应用场景，如无线基站、雷达系统、频谱分析仪和工业控制设备中的射频模块。
88F6-BRT4 主要用于射频信号放大、射频开关、低噪声前置放大器、无线通信系统、雷达接收器、测试与测量仪器以及工业控制系统中的高频电路设计。由于其优异的射频性能和稳定性，该晶体管也常用于广播设备、数据通信设备和消费类电子产品中的射频前端模块。
2N3904, 2N2222, BFQ54, BFQ67
