CKC21C512GEGAC7800 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,主要用于数据存储应用。该芯片采用先进的工艺技术制造,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点,适用于各种需要大容量存储的电子设备。
此芯片通常被用于消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及嵌入式系统中。
容量:512Gb
接口类型:Toggle DDR 3.0
工作电压:1.8V ± 0.1V
封装形式:BGA
I/O 引脚数:78
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保留时间:10 年
擦写寿命:3000 次
CKC21C512GEGAC7800 具有以下显著特性:
1. 高密度存储:单颗芯片提供 512Gb 的存储容量,能够满足现代设备对大容量存储的需求。
2. 快速读写性能:支持 Toggle DDR 3.0 接口协议,最高传输速度可达 400MT/s,适合高速数据传输场景。
3. 低功耗设计:在待机模式下电流消耗极低,有效延长了电池供电设备的续航时间。
4. 可靠性高:具备强大的错误校正码(ECC)功能,确保数据的完整性与可靠性。
5. 稳定的工作温度范围:能够在工业级温度范围内正常运行,适应各种复杂环境。
CKC21C512GEGAC7800 广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等需要大容量存储的设备。
2. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 中的核心存储单元,提供高效的数据存储解决方案。
3. 嵌入式系统:适用于工业控制、网络通信等领域中的嵌入式设备。
4. 数据记录设备:如行车记录仪、监控摄像头等需要长期稳定存储数据的设备。
CKC21C512GEFAC7800, CKC21C512GEGBC7800