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CKC21C512GEGAC7800 发布时间 时间:2025/6/21 14:17:37 查看 阅读:6

CKC21C512GEGAC7800 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,主要用于数据存储应用。该芯片采用先进的工艺技术制造,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点,适用于各种需要大容量存储的电子设备。
  此芯片通常被用于消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及嵌入式系统中。

参数

容量:512Gb
  接口类型:Toggle DDR 3.0
  工作电压:1.8V ± 0.1V
  封装形式:BGA
  I/O 引脚数:78
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:10 年
  擦写寿命:3000 次

特性

CKC21C512GEGAC7800 具有以下显著特性:
  1. 高密度存储:单颗芯片提供 512Gb 的存储容量,能够满足现代设备对大容量存储的需求。
  2. 快速读写性能:支持 Toggle DDR 3.0 接口协议,最高传输速度可达 400MT/s,适合高速数据传输场景。
  3. 低功耗设计:在待机模式下电流消耗极低,有效延长了电池供电设备的续航时间。
  4. 可靠性高:具备强大的错误校正码(ECC)功能,确保数据的完整性与可靠性。
  5. 稳定的工作温度范围:能够在工业级温度范围内正常运行,适应各种复杂环境。

应用

CKC21C512GEGAC7800 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等需要大容量存储的设备。
  2. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 中的核心存储单元,提供高效的数据存储解决方案。
  3. 嵌入式系统:适用于工业控制、网络通信等领域中的嵌入式设备。
  4. 数据记录设备:如行车记录仪、监控摄像头等需要长期稳定存储数据的设备。

替代型号

CKC21C512GEFAC7800, CKC21C512GEGBC7800

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CKC21C512GEGAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格500 : ¥15.82206卷带(TR)
  • 系列KC-LINK
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定1200V(1.2kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高电压,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2220(5750 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.200" 宽(5.70mm x 5.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.087"(2.20mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-