CKC18X752GWGACAUTO 是一款高性能的汽车级功率 MOSFET,主要用于需要高效率和低损耗的应用场景。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能,使其非常适合于汽车电子系统中的负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。
该芯片符合 AEC-Q101 标准,确保其在恶劣的汽车环境下具备高可靠性和稳定性。
型号:CKC18X752GWGACAUTO
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):2.5mΩ
Id(连续漏极电流):94A
Qg(栅极电荷):32nC
Vgs(th)(栅极开启电压):2.8V
fT(特征频率):2.7MHz
封装形式:TO-263 (D2PAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CKC18X752GWGACAUTO 的主要特点是低导通电阻和高电流能力,这使得它在高功率应用中能够显著降低功耗并提升效率。
1. 采用沟槽式 MOSFET 技术,Rds(on) 仅为 2.5mΩ,极大地降低了导通损耗。
2. 具备高 Id(94A),适合大电流负载开关或驱动应用。
3. 快速开关特性,栅极电荷 Qg 为 32nC,有助于减少开关损耗。
4. 符合 AEC-Q101 汽车级标准,能够在极端温度和振动条件下稳定运行。
5. 封装为 TO-263(D2PAK),提供良好的散热性能和易于安装的特点。
6. 支持宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适用于严苛环境下的汽车应用。
CKC18X752GWGACAUTO 主要用于汽车电子系统中的各种高功率应用场景:
1. 汽车 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 负载开关,用于控制汽车电子模块的电源通断。
3. 电机驱动电路,特别是用于电动车窗、雨刷器和座椅调节等电机控制。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. LED 驱动器中的功率开关。
6. 汽车音响系统和其他高功率音频放大器中的功率级组件。
CKC18X752GWGAC,
IRFZ44N,
FDP5560,
STP90NF06L