时间：2025/6/12 3:14:04
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CKC18X223KWGAC7800是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于在高密度电路板上使用。通过优化栅极电荷和输出电容参数，CKC18X223KWGAC7800能够在高频应用中表现出色，同时保持较高的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.045Ω
栅极阈值电压：2V~4V
工作温度范围：-55℃~175℃
总栅极电荷：75nC
反向恢复时间：90ns
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场景。
3. 高耐压能力（650V），适用于各种高压环境。
4. 热性能优异，可长时间在高温条件下稳定运行。
5. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力，提高器件的鲁棒性。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，适合长期批量生产。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 用于电动工具、家用电器等领域的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的高频驱动电路。
6. 各种需要高压、大电流处理能力的电子系统设计。
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5500
