时间：2025/8/16 23:44:41
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CJAC10H02 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在高频率和高效率要求的开关电路中使用。CJAC10H02通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.22Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CJAC10H02 MOSFET采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件的100V漏源击穿电压使其适用于多种中高功率应用，如电源适配器、电池管理系统、DC-DC转换器和工业控制设备。其10A的连续漏极电流能力确保其能够在较高的负载条件下稳定工作，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。
此外，CJAC10H02具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外围电路的体积，提高系统集成度。其±20V的栅极耐压提供了更高的安全裕量，避免在高噪声环境中发生栅极击穿。内置的体二极管可以有效地处理反向电流，适用于感性负载切换等应用场景。
CJAC10H02 MOSFET广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关电路、电机驱动器、LED驱动电源、电池充电管理系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源控制部分。其高效率、高可靠性和紧凑封装使其成为开关电源（SMPS）和便携式设备电源管理系统的理想选择。
Si4410BDY, IRF540N, FDPF085N10A0A, CJAC10H04
