时间：2025/12/24 8:57:54
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CDR31BP150BFZSAT 是一款基于 MOSFET 技术的高可靠性功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用 N 沟道增强型结构，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛应用于需要高效能功率转换的场合。其封装形式为 TO-263，适合表面贴装技术（SMT），能够承受较高的电压和电流负载。
这种功率 MOSFET 适用于工业、消费电子以及汽车领域中的多种应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块等。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：开启时间 17ns / 关断时间 38ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263
1. 高效性：低导通电阻设计显著降低了传导损耗，从而提高了整体效率。
2. 快速开关能力：优化的栅极电荷使得开关速度更快，适合高频操作环境。
3. 热性能优异：采用先进的封装技术，具备良好的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。
4. 高可靠性：通过严格的筛选和测试流程，确保产品在恶劣条件下的耐用性和稳定性。
5. 兼容性强：支持表面贴装工艺，易于集成到各种电路板中，简化了生产制造过程。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子系统中的负载切换
IRF3205
FDP55N10
STP36NF10L
IXYS RF15N120VP
