时间:2025/12/5 19:55:09
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CK45-R3AD102K-VRA是一款由Changsheng Electronics(长盛电子)生产的陶瓷电容,属于贴片式多层陶瓷电容器(MLCC)系列。该型号主要设计用于高频电路、电源去耦、滤波以及信号耦合等应用场景。其命名规则遵循行业通用标准,其中'CK'代表陶瓷电容,'45'表示尺寸代码(对应于公制1210封装),'R3A'代表额定电压等级(50V DC),'D'为温度特性代号(X7R),'102'表示电容值为1000pF(即1nF),'K'代表容差±10%,'VRA'可能为厂商特定的包装或批次标识。该器件采用表面贴装技术(SMT),适用于自动化贴片生产线,具有良好的焊接可靠性和机械稳定性。由于其稳定的电气性能和较宽的工作温度范围,CK45-R3AD102K-VRA被广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块及汽车电子系统中。
尺寸代码:45 (1210)
封装尺寸:3.2mm x 2.5mm x ±0.3mm
电容值:1000pF (1nF)
容差:±10%
额定电压:50V DC
温度特性:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
介质材料:多层陶瓷(BaTiO3基)
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C·V ≥ 500Ω·F(取较大者)
耐电压:1.5倍额定电压,持续5秒无击穿
老化率:≤±2.5% / 1000小时(在+125°C下)
ESR:低等效串联电阻(典型值<0.1Ω)
应用频率范围:适用于DC至数百MHz
CK45-R3AD102K-VRA所采用的X7R型介电材料是一种以钛酸钡为基础的铁电陶瓷,具备优异的温度稳定性和电容量保持率,在-55°C到+125°C的宽温范围内,电容值变化不超过±15%,满足大多数工业级和部分汽车级应用需求。这种材料相较于Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性差的介质而言,更适合对稳定性要求较高的场景。该电容器采用多层结构设计,通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高电容密度,同时有效降低等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),从而提升其在高频下的阻抗特性,使其在去耦和滤波应用中表现出色。
该器件具备良好的直流偏压特性,在接近额定电压运行时仍能维持较高比例的标称电容量,优于许多同类产品。此外,其1210封装形式在小型化与可靠性之间取得良好平衡,既适合紧凑型PCB布局,又具备足够的焊盘面积以减少因热应力或机械振动导致的开裂风险。制造过程中采用镍阻挡层和锡镀层端电极结构(Ni-Sn termination),确保与无铅焊接工艺兼容,并增强抗湿性和长期环境耐久性。
CK45-R3AD102K-VRA符合RoHS环保指令要求,不含铅、镉等有害物质,支持回流焊温度曲线(峰值温度可达260°C,持续时间≤10秒)。其高体积效率和稳定的电气性能使其成为电源管理IC旁路电容、ADC/DAC参考电压滤波、射频匹配网络以及DC-DC转换器输出滤波的理想选择。尽管不属于C0G/NP0类超稳定电容,但在成本敏感且需要一定温度稳定性的应用中,X7R材质提供了良好的性价比方案。
CK45-R3AD102K-VRA广泛用于各类电子设备中的去耦、滤波、旁路和信号耦合电路。在电源管理系统中,常作为微处理器、FPGA或ASIC芯片的电源引脚旁路电容,用于抑制高频噪声并提供瞬态电流支持,保障核心器件稳定运行。在DC-DC开关电源电路中,可用于输入/输出滤波环节,配合电感构成π型或LC滤波网络,有效降低纹波电压。此外,该电容也适用于模拟信号链路中的交流耦合应用,如音频放大器级间耦合或传感器信号调理前端,利用其低损耗和适度的电容稳定性传递信号。
在通信与射频模块中,CK45-R3AD102K-VRA可用于阻抗匹配网络、滤波器构建或偏置电路的隔直通交功能,尤其适用于GHz以下频段的应用。由于其具备一定的耐压能力和温度适应性,也可部署于工业自动化设备、PLC控制器、电机驱动板等恶劣环境中。在汽车电子领域,虽非AEC-Q200认证器件,但仍可用于非关键车载系统如娱乐主机、车身控制模块等对成本和空间有要求的场合。
此外,该型号还常见于消费类电子产品,包括智能手机、平板电脑、智能家居网关、路由器和可穿戴设备等,承担局部电源稳压和噪声抑制任务。其表面贴装特性便于大规模自动化生产,提高组装效率和一致性。对于需要批量使用且注重性价比的设计方案,CK45-R3AD102K-VRA是一个可靠而经济的选择,尤其适用于工作电压不超过50V、对电容温度漂移有一定容忍度的通用用途场景。