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IRLHS6276TRPBF 发布时间 时间:2025/7/10 12:20:54 查看 阅读:8

IRLHS6276TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252 (D2PAK)封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其设计主要用于高效率的开关应用中,如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及电池管理等场景。
  由于其具备较低的栅极电荷和输出电容,因此可以显著减少开关损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(Rds(on)):4.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:8nC
  输入电容:940pF
  总电容:1350pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252 (D2PAK)

特性

IRLHS6276TRPBF具备非常低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升整体效率。此外,它的栅极电荷较小,有助于实现更快的开关速度,从而进一步优化动态性能。此器件还支持较高的工作温度范围,使其适用于严苛的工作环境。
  它具有以下具体特点:
  - 极低的导通电阻,确保在大电流应用中的高效表现。
  - 快速的开关速度,减少了开关过程中的能量损失。
  - 能够承受高达60V的漏源电压,为电路提供更好的保护。
  - 工作温度范围广,适应于各种工业和汽车应用场景。

应用

该MOSFET广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的领域,例如:
  - 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率级开关。
  - 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
  - 汽车电子系统,包括发动机控制单元(ECU)、传动系统以及车身电子系统。
  - 多种负载切换场合,如LED照明驱动和电池管理系统(BMS)。

替代型号

IRLHS6272TRPBF, IRLHS6273TRPBF

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IRLHS6276TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds310pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-VQFN
  • 供应商设备封装6-PQFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)