IRLHS6276TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252 (D2PAK)封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其设计主要用于高效率的开关应用中,如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及电池管理等场景。
由于其具备较低的栅极电荷和输出电容,因此可以显著减少开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:19A
导通电阻(Rds(on)):4.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:8nC
输入电容:940pF
总电容:1350pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-252 (D2PAK)
IRLHS6276TRPBF具备非常低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升整体效率。此外,它的栅极电荷较小,有助于实现更快的开关速度,从而进一步优化动态性能。此器件还支持较高的工作温度范围,使其适用于严苛的工作环境。
它具有以下具体特点:
- 极低的导通电阻,确保在大电流应用中的高效表现。
- 快速的开关速度,减少了开关过程中的能量损失。
- 能够承受高达60V的漏源电压,为电路提供更好的保护。
- 工作温度范围广,适应于各种工业和汽车应用场景。
该MOSFET广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的领域,例如:
- 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率级开关。
- 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
- 汽车电子系统,包括发动机控制单元(ECU)、传动系统以及车身电子系统。
- 多种负载切换场合,如LED照明驱动和电池管理系统(BMS)。
IRLHS6272TRPBF, IRLHS6273TRPBF