容量：64MB
　　组织结构：x16位
　　电压：3.3V
　　封装：TSOP
　　速度等级：-6A（对应访问时间6.7ns，频率166MHz）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

NT6DM64T64CC-S1具有多项值得关注的技术特性，首先其采用的是DRAM存储技术，这意味着它需要周期性刷新以保持数据完整性，但同时也具备较高的存储密度和较低的成本。该芯片的x16位数据总线宽度确保了较高的数据传输效率，适用于对存储性能有一定要求的应用场景。芯片的TSOP封装形式有助于提高安装密度并减少信号干扰。此外，NT6DM64T64CC-S1支持166MHz的工作频率，提供了6.7ns的访问时间，确保了快速响应和高效的数据处理能力。该芯片还具备低功耗设计，适合用于对能耗敏感的设备中。
　　在可靠性方面，NT6DM64T64CC-S1通过了严格的工业级认证，能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的设备。该芯片还采用了CMOS工艺，具有较高的抗干扰能力和稳定性。

NT6DM64T64CC-S1广泛应用于需要一定存储容量和高性能的嵌入式系统和电子设备中。例如，它可以用于网络设备、工业控制系统、医疗设备、消费电子产品（如机顶盒、数字电视）以及汽车电子系统中。在这些应用中，NT6DM64T64CC-S1可以作为主存储器或缓存存储器，提供快速的数据访问和存储能力。此外，由于其工业级的工作温度范围和高可靠性，该芯片也常用于需要长时间运行和高稳定性的系统中，如工业自动化控制设备和通信基础设施设备。

IS61LV6416-6T、CY62148EVLL、A64C6416C3B、HY57V641620B