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H5DU6462CTR-E3CR-C 发布时间 时间:2025/9/2 9:10:19 查看 阅读:6

H5DU6462CTR-E3CR-C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能、低功耗类型的内存芯片。该型号广泛应用于各种电子设备中,如个人电脑、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。H5DU6462CTR-E3CR-C 采用了先进的制造工艺,具有较高的数据存取速度和稳定性,能够满足现代高性能计算和数据处理的需求。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:8M x 8
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  访问时间:55ns(最大)
  刷新周期:64ms
  封装尺寸:54-TSOP
  时钟频率:166MHz

特性

H5DU6462CTR-E3CR-C 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,具有以下显著特性:
  首先,它的存储容量为64Mbit,采用8M x 8的组织结构,适用于需要较大内存容量的系统设计。该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在多种电源环境下稳定工作,提高了其适用性。
  其次,H5DU6462CTR-E3CR-C 支持宽温工作范围,从-40°C到+85°C,能够在极端温度条件下保持稳定性能,因此适用于工业级和汽车电子应用。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,有助于提高芯片的长期可靠性。
  此外,该芯片的最大访问时间为55ns,具备较高的数据读写速度,可满足高速数据处理需求。其64ms的刷新周期确保了数据在断电前的稳定性,同时减少了刷新操作对系统性能的影响。这些特性使得H5DU6462CTR-E3CR-C在多种高性能嵌入式系统和通信设备中得到了广泛应用。

应用

H5DU6462CTR-E3CR-C 广泛应用于需要高性能和高可靠性的电子系统中。例如,在工业控制设备中,该芯片可作为主存储器用于存储运行时的数据和程序代码;在通信设备中,如路由器和交换机,它可用于缓存高速传输的数据包,提高数据处理效率。
  此外,该芯片也常用于汽车电子系统,如车载导航、信息娱乐系统等,其宽温范围和高稳定性确保了在复杂车载环境下的可靠运行。在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和游戏设备,H5DU6462CTR-E3CR-C 也能提供稳定、高速的内存支持,提升整体系统性能。

替代型号

H5DU6462CTR-E3CR-C的替代型号包括:H5DU6462CTR-E3C、H5DU6462CTR-E3B、H5DU6462CTR-E3R、H5DU6462CTR-E3C-F和H5DU6462CTR-E3R-F等。这些型号在功能和电气特性上基本相同,主要区别可能在于封装形式、工作温度范围或产品批次。

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