类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：120V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263（表面贴装型）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为4.5mΩ（最大值为6.0mΩ）
　　栅极电荷(Qg)：约150nC
　　短路耐受能力：有

PHRP8120具有多项优异的电气和热性能，使其在各种高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了低导通电阻设计，典型值为4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这对于设计高效节能的电源系统尤为重要。
　　其次，PHRP8120支持高达80A的连续漏极电流，并且在高温度环境下仍能保持良好的导通性能，这使其非常适合用于高负载条件下的功率开关应用。
　　此外，该器件具有高耐压能力，漏极-源极电压额定值为120V，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、半桥和全桥电路等。
　　PHRP8120采用TO-263表面贴装封装，具有优良的散热性能，能够有效降低器件工作温度，提高系统可靠性。该封装形式也便于自动化生产和高密度PCB布局。
　　同时，该MOSFET内置一定的短路耐受能力，可在短时间过载或短路情况下保持稳定，增强系统的安全性和耐用性。
　　最后，PHRP8120的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力，使其适用于高频开关应用。

PHRP8120广泛应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统中。
　　常见的应用包括高性能电源供应器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电动工具、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。
　　在电源设计中，PHRP8120可作为主开关元件用于同步整流拓扑中，提高转换效率并降低发热。在电机控制应用中，它能够承受较高的瞬态电流，确保电机启动和运行时的稳定性。
　　此外，PHRP8120也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和48V轻混系统中的功率转换模块。
　　由于其良好的热性能和封装形式，PHRP8120也非常适合用于需要紧凑设计和高功率密度的现代电子产品中。

SiHF8120, IRLB8120, FDP8120S, IRF2812PBF