类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（最大值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　漏极功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-251、TO-252、TO-220等

CJU04N65A具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其高耐压能力（650V）确保了它在高压应用中的稳定性和可靠性，适用于各种高电压开关电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大值为1.8Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，CJU04N65A的连续漏极电流为4A，能够在中等功率条件下提供稳定的电流输出。
　　在开关特性方面，CJU04N65A具有快速的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损耗，从而提升系统的整体效率。其高栅极电压容限（±20V）也增加了器件在复杂电路中的适应性和安全性。此外，该MOSFET采用了多种常见的封装形式，如TO-251、TO-252和TO-220，便于根据不同的应用场景进行安装和使用。这些封装形式也提供了良好的散热性能，确保器件在长时间运行中保持稳定的工作温度。
　　从可靠性角度来看，CJU04N65A具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持长期运行的稳定性。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种工业和消费类电子设备。

CJU04N65A广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器、逆变器和电池管理系统。在开关电源中，CJU04N65A用于高效转换和调节直流电压，提供稳定的输出。在LED驱动器中，它能够提供高效的电流控制，确保LED的稳定工作。此外，该MOSFET还适用于电机控制系统，用于控制电机的启停和调速。在逆变器应用中，CJU04N65A可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。其优异的开关特性和高耐压能力也使其在工业自动化设备和消费类电子产品中得到了广泛应用。

FQP4N65C, 4N65, CJU04N65F, CJU04N65H