型号：UMP1HR22MDD1TD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　产品系列：UMP1
　　元件类型：薄膜电阻阵列
　　电阻数量：4
　　配置方式：双二极管连接（Dual Isolated Pairs）
　　标称阻值：22 MΩ
　　阻值公差：±0.1%
　　温度系数（TCR）：±5 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　额定功率（+70°C）：0.1 W
　　最大电压：200 V
　　封装类型：DIP-4（Dual In-line Package）
　　安装方式：通孔安装（Through-hole）
　　尺寸（长×宽×高）：8.5 mm × 6.5 mm × 4.5 mm
　　引脚间距：2.54 mm
　　焊接工艺：可采用波峰焊或手工焊
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限暴露时间）
　　符合标准：RoHS、REACH、符合JEDEC J-STD-020规范

UMP1HR22MDD1TD的核心特性之一是其采用的高性能薄膜电阻材料与光刻微加工工艺，使得每个电阻单元具有高度一致的电气参数和极佳的长期稳定性。这种薄膜技术能够在陶瓷基板上沉积均匀的镍铬（NiCr）或其他合金薄膜，并通过激光修调实现精确的阻值匹配，从而确保出厂时的初始精度达到±0.1%，并且在寿命期内保持稳定。该器件的温度系数低至±5 ppm/°C，意味着即使在环境温度剧烈波动的情况下，电阻值的变化也非常微小，这对于精密放大器、桥式传感器接口和高精度ADC/DAC参考电路至关重要。
　　另一个关键特性是其优异的匹配性能。作为一款电阻阵列，UMP1HR22MDD1TD内部的两个电阻对之间具有高度对称性，不仅各自阻值精准，而且相互之间的比例误差极小，这使其非常适合用于差分信号调理、仪表放大器输入端的增益设定以及需要严格平衡的惠斯通电桥结构中。此外，由于所有电阻集成在同一基片上，热耦合效果显著，当温度变化时，各电阻同步漂移，进一步降低了相对误差，提升了系统的共模抑制比（CMRR）。
　　该器件还具备出色的耐压能力和高绝缘电阻，最大工作电压可达200V，绝缘电阻大于10^10 Ω，在高压偏置或高阻抗节点应用中表现可靠。其通孔DIP-4封装形式便于手工焊接和原型开发，同时提供足够的机械强度和散热能力。此外，器件经过严格的筛选和老化测试，确保在极端温度循环、振动和湿度条件下仍能维持性能指标，适用于航空航天、医疗诊断设备和高可靠性工业控制系统等关键领域。

UMP1HR22MDD1TD因其高精度、低温漂和优异的匹配特性，广泛应用于对信号完整性要求极高的场合。在医疗电子设备中，常用于心电图（ECG）、脑电图（EEG）等生物电信号采集前端的仪表放大器反馈网络，确保微弱生理信号在放大过程中不失真且共模干扰被有效抑制。在测试与测量仪器如数字万用表、示波器和源测量单元（SMU）中，该器件用于构建精密分压器或电流检测电路，保障测量结果的准确性和重复性。
　　在工业自动化领域，UMP1HR22MDD1TD可用于PLC模块中的模拟量输入/输出通道校准电路，以及压力、温度、流量等传感器信号调理模块中的增益设置电阻。其高阻值（22 MΩ）特别适合用于高输入阻抗缓冲器或积分器电路，例如在光电探测器或电离室信号读出系统中，能够最大限度地减少信号源负载效应，提升灵敏度。
　　此外，在高端音频设备中，该器件可用于有源滤波器、均衡网络或前置放大器的偏置电路，帮助实现平坦的频率响应和低噪声性能。在科研级实验装置和卫星通信前端电路中，也常见其身影，用于构建低漏电流、高稳定性的RC网络或反馈回路。得益于其宽广的工作温度范围和高可靠性设计，该器件同样适用于野外监测设备、深井探测仪器和军事电子系统等恶劣环境下的精密电子系统。

CMP1HR22MDD1TD
　　LMK316GH224JT