容量：256Kbit（32K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：52
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　读写操作：异步
　　封装尺寸：8.00mm x 14.00mm（典型）

GM76C256CLWT-70 SRAM芯片具有多个显著的性能特点。首先，它采用高速CMOS工艺制造，访问时间仅为70纳秒，这使其适用于需要快速数据存取的高性能系统。其次，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的适应能力，适用于电池供电设备和工业控制系统。
　　此外，该器件支持异步读写操作，具备8位并行数据总线接口，能够提供高效的数据传输性能。其TSSOP封装形式不仅节省空间，还提高了热稳定性和机械可靠性，适用于高密度PCB设计。
　　GM76C256CLWT-70还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的应用。同时，该芯片支持全地址范围的读写操作，并具有数据保持能力，即使在低电压或掉电情况下也能保持数据完整性。
　　该芯片符合RoHS环保标准，适合于绿色电子制造流程。其高可靠性设计使其能够在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下稳定运行，适用于苛刻的工业和通信环境。

GM76C256CLWT-70广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。常见应用包括工业控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、网络设备、数据采集系统、医疗电子设备、测试仪器以及消费类电子产品中的缓存存储器。由于其异步接口特性，它也常用于与微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）配合使用的外部存储扩展方案。

ISSI IS61LV256AL-70T, Cypress CY62148EVLL-70ZS, Renesas IDT71V416SA-70T, Alliance AS7C256A-70BCTR