类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：1A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-92、SOT-23或其他小型封装
　　功率耗散（PD）：2W
　　封装形式：三引脚直插式或表面贴装

CJU01N65B MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，具有优异的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高耐压能力，能够承受较大的电压冲击和高温环境下的运行需求。CJU01N65B的栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了外围电路的设计。同时，该器件具有较低的漏电流，在关断状态下能够有效减少静态功耗。CJU01N65B还具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。其封装形式灵活，适用于不同的PCB布局和安装方式。
　　在制造工艺方面，CJU01N65B采用了高纯度的硅基材料和先进的封装技术，确保了产品的长期稳定性和耐用性。此外，该MOSFET还具备较强的抗干扰能力，适用于复杂的电磁环境。

CJU01N65B广泛应用于各类电力电子设备中，例如：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或辅助开关
　　? DC-DC转换器中的同步整流或开关元件
　　? 负载开关电路中的电源控制
　　? 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
　　? 马达驱动器中的H桥或单向驱动电路
　　? 家用电器中的电源管理模块
　　? 工业控制系统中的功率开关元件
　　由于其高可靠性和小型封装，CJU01N65B也适用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统。

CJU01N65BF、2N6781、FQP1N60C、2SK3569、SUD1N65E