SI7201-B-04-IVR 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型 QFN 封装,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。它具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该型号是 Vishay 的 Si7201 系列 MOSFET 中的一员,设计目标是在紧凑封装下提供出色的电气性能和热性能,非常适合对空间敏感的应用场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.5A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:11nC(典型值)
开关时间:ton=9ns,toff=18ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:QFN3*3-16L
低导通电阻设计,能够显著降低传导损耗,提升效率。
快速开关能力使得其适合高频开关应用。
具备强大的散热能力,可承受较高温度的工作环境。
内置反向二极管,有助于保护电路免受反向电流损害。
小型化封装设计节省了 PCB 空间,适合便携式设备和其他紧凑型应用。
Vishay 提供了完善的可靠性测试数据,确保产品在严苛条件下的长期稳定性。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中,例如:
笔记本电脑和手机适配器中的同步整流电路。
用于电池管理系统的负载开关。
小型 DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
电机驱动和 LED 驱动电路中的功率级开关。
各种需要高效功率转换和小体积解决方案的场合。
Si7201DP,Si7143DN,IRF7832