制造商：Qorvo（原RF Micro Devices）
　　类型：LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围：1.8 GHz至2.2 GHz
　　输出功率：典型值36 W（57.6 dBm）
　　增益：典型值19 dB
　　效率：典型值55%
　　漏极电压：+28 V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：表面贴装，T-Style封装（TR13）

RF3612TR13的主要特点包括出色的线性度和效率，这使其成为多载波GSM、CDMA和W-CDMA基站放大器的理想选择。其LDMOS技术提供了高耐用性和良好的热稳定性，确保在苛刻的运行条件下也能保持可靠性能。此外，该器件具有宽频带匹配能力，可在1.8 GHz至2.2 GHz范围内无需额外的外部匹配元件即可运行。该晶体管的T-Style TR13封装设计有助于提高散热效率，适用于高功率密度应用。
　　另一个关键特性是其高输入阻抗，使得RF3612TR13能够与前级驱动放大器轻松匹配，从而简化电路设计。同时，该器件具有良好的抗失真性能，支持高数据速率传输，适用于4G LTE和5G预部署系统中的射频功率放大需求。此外，其较高的击穿电压和热稳定性使其能够在恶劣环境下保持稳定工作，提高了系统的整体可靠性和寿命。

RF3612TR13广泛应用于无线通信基础设施，包括宏蜂窝基站、微蜂窝基站、远程射频头、分布式天线系统（DAS）以及多输入多输出（MIMO）系统。由于其高效率和高线性度特性，它也非常适合用于多标准基站放大器，支持GSM、UMTS、LTE等多种通信标准。此外，该器件可用于工业和商业射频功率系统，如测试设备、宽带无线接入系统以及点对点微波通信链路中的发射模块。

RF3612TR13的替代型号包括Cree/Wolfspeed的CGH40010F（适用于类似频率范围的GaN HEMT器件），以及Qorvo自身的RF3611TR13（性能相近但输出功率略低）。其他可能的替代方案包括NXP的MRF1510（适用于1.8 GHz至2.2 GHz频段的LDMOS功率晶体管）。