类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大）
　　功耗(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等

CJPF07N60 MOSFET具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为7A，在25℃环境温度下具有良好的电流承载能力，适合中高功率的应用场景。
　　此外，CJPF07N60 的导通电阻 Rds(on) 最大为1.2Ω，在导通状态下能有效降低功率损耗，提高系统效率。这种低导通电阻特性对于DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关等应用尤为重要。
　　该器件采用标准的TO-220、TO-251或TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。同时，其工作温度范围从-55℃到+150℃，适应性广泛，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　另外，CJPF07N60 的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。其热阻（RθJC）较低，有助于快速散热，提升整体可靠性。这种MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，能够有效防止因瞬态过电压引起的器件损坏，提高系统的稳定性与安全性。

CJPF07N60 MOSFET主要应用于各种中高功率电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、电机驱动电路、照明电源以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在开关电源中，CJPF07N60 作为主开关管使用，能够高效地将输入交流电压转换为稳定的直流输出，广泛用于笔记本电脑电源、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，有助于提高转换效率并减少热量产生。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于太阳能逆变系统、电动汽车充电模块和储能系统中的能量转换环节。其快速开关特性也使其适用于高频工作环境，有助于减小电感和变压器的体积，提升整体功率密度。
　　此外，CJPF07N60 还可用于电机驱动器中的H桥结构，控制直流电机的正反转和调速。在工业自动化和机器人系统中，这种MOSFET可以作为功率开关，实现对负载的精确控制。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力，适用于长时间高负载运行的场景。
　　在照明应用中，该器件可用于LED路灯、工业照明和舞台灯光的电源管理模块，提供高效稳定的功率控制。在家电产品中，如变频空调、洗衣机等，也可作为功率开关使用，提高能效等级。

FQP7N60C, FQA7N60C, STP7NK60Z, 2SK2142, 2SK2545