类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220 / DPAK

CS5N90 MOSFET具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。
　　首先，其高达900V的漏源击穿电压（Vds）使其非常适合用于高电压环境，如开关电源和照明系统中的高压直流转换。在这些应用中，稳定性与耐压能力是关键指标。
　　其次，CS5N90的导通电阻较低（Rds(on) ≤ 2.5Ω），这有助于降低导通损耗，提高整体能效。这对于需要长时间运行的系统（如工业控制和电机驱动）尤为重要，因为较低的损耗意味着更少的发热和更高的可靠性。
　　此外，CS5N90具备良好的热稳定性和过热保护能力。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载下仍能维持稳定工作温度，从而延长器件寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽（±30V），增强了其与不同驱动电路的兼容性。这使得CS5N90能够适应多种应用场景，包括需要高精度控制的电机驱动和DC-DC变换器。
　　最后，CS5N90具有较高的抗干扰能力和良好的开关性能，适用于高频开关操作，有助于减小外围元件尺寸并提升系统整体性能。

CS5N90广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **开关电源（SMPS）**：用于AC-DC转换电路中，作为主开关元件，实现高效的能量转换。
　　2. **DC-DC转换器**：在升压（Boost）或降压（Buck）电路中，作为关键的功率开关，提高系统的能量利用率。
　　3. **电机驱动系统**：在H桥驱动电路中用作功率开关，控制电机的正反转及速度调节。
　　4. **照明系统**：用于LED驱动电源，确保恒定电流输出，提升照明稳定性和寿命。
　　5. **工业控制设备**：如变频器、UPS不间断电源等设备中，作为功率开关元件，实现高效率和高可靠性运行。
　　6. **家用电器**：如电磁炉、微波炉等高功率电器中，用于控制主电路的通断，确保安全和高效运行。

STW20NM50, FQA5N90C, IRFBC20, 2SK2141