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CDR31BP271BKUS7185 发布时间 时间:2025/5/31 0:53:52 查看 阅读:8

CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于多种高压、大电流场景,例如DC-DC转换器、逆变器和负载开关等。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

型号:CDR31BP271BKUS7185
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):700V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):9.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.5Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):160W
  工作温度范围(Top):-55°C至+175°C
  封装:TO-247-3

特性

CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 强化的雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力,提高可靠性。
  5. 良好的热性能,即使在高功率密度环境下也能维持较低结温。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足国际法规要求。
  7. 宽泛的工作温度范围,支持从低温到高温的各种极端环境使用。

应用

CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率级开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率开关,如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 工业自动化设备中的负载开关或继电器替代方案。
  5. UPS不间断电源系统中的电池充放电管理。
  6. 各种需要高压大电流处理能力的电子电路中作为核心功率器件。

替代型号

CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7

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CDR31BP271BKUS7185参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格400 : ¥6.92835卷带(TR)
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-