CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于多种高压、大电流场景,例如DC-DC转换器、逆变器和负载开关等。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。
型号:CDR31BP271BKUS7185
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):9.4A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围(Top):-55°C至+175°C
封装:TO-247-3
CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合,减少开关损耗。
3. 强化的雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力,提高可靠性。
5. 良好的热性能,即使在高功率密度环境下也能维持较低结温。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足国际法规要求。
7. 宽泛的工作温度范围,支持从低温到高温的各种极端环境使用。
CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率级开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关,如步进电机、无刷直流电机等。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载开关或继电器替代方案。
5. UPS不间断电源系统中的电池充放电管理。
6. 各种需要高压大电流处理能力的电子电路中作为核心功率器件。
CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7