时间：2025/5/31 0:53:52
阅读：19
CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于多种高压、大电流场景，例如DC-DC转换器、逆变器和负载开关等。其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
型号：CDR31BP271BKUS7185
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9.4A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围(Top)：-55°C至+175°C
封装：TO-247-3
CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，可以有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合，减少开关损耗。
3. 强化的雪崩能量耐受能力，确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护电路，增强抗静电能力，提高可靠性。
5. 良好的热性能，即使在高功率密度环境下也能维持较低结温。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，满足国际法规要求。
7. 宽泛的工作温度范围，支持从低温到高温的各种极端环境使用。
CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主功率级开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载开关或继电器替代方案。
5. UPS不间断电源系统中的电池充放电管理。
6. 各种需要高压大电流处理能力的电子电路中作为核心功率器件。
CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7
