CJP75N80 时间：2025/7/7 10:37:40 阅读：9

CJP75N80是一种N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管）。该器件主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换器等场景。其设计旨在提供高效率和低导通损耗，同时具备出色的热特性和电气性能。CJP75N80的额定电压为800V，使其非常适合高压应用环境。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：75A
　　栅极阈值电压：4V~6V
　　导通电阻（典型值）：0.12Ω
　　功耗：300W
　　工作结温范围：-55℃~+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

CJP75N80具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，可承受高达800V的工作电压，适用于各种高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升整体性能。
　　4. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定运行。
　　5. 强大的电流承载能力，支持高达75A的连续漏极电流，满足大功率需求。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备制造要求。

应用

CJP75N80广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
　　3. 新能源领域的逆变器和变频器。
　　4. 工业控制设备中的功率调节模块。
　　5. 各类DC-DC转换器，包括降压和升压转换器。
　　6. 其他需要高压、大电流开关功能的电子设备。