时间：2025/6/25 15:09:27
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CJP75N75是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理电路。
该型号中的'CJP'代表制造商或系列代号，而'75N75'则表示其电压和电流规格：75V耐压、额定连续漏极电流为75A（具体值可能因实际数据手册而略有不同）。其封装形式通常是TO-247或TO-220，以适应高功率应用场景。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：75A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：360W
工作温度范围：-55℃~175℃
存储温度范围：-65℃~150℃
开关时间（开启/关闭）：10ns/20ns
CJP75N75的主要特点是低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低功率损耗并提高效率。此外，它还具备以下特性：
1. 高雪崩能量能力，增强了在过载条件下的可靠性。
2. 内置反向恢复二极管，非常适合同步整流和电机驱动应用。
3. 较高的电流承载能力，使其成为大功率应用的理想选择。
4. 良好的热稳定性，保证了在高温环境下的长期可靠运行。
5. 小尺寸封装与高效的散热设计结合，便于系统集成。
CJP75N75广泛应用于需要高效功率转换的场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源汽车及充电设施中的功率管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
IRFP260N, STP75N06DM2, FDP177N10A
