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RB400DT146 发布时间 时间:2025/5/9 10:32:04 查看 阅读:9

RB400DT146是一种高压功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用DPAK封装形式,具有低导通电阻、高耐压特性和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  RB400DT146属于N沟道增强型MOSFET,其出色的电气性能使其成为众多工业和消费电子领域中的理想选择。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:0.45Ω
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=70ns, toff=40ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

RB400DT146具备较高的击穿电压,适用于需要承受较高电压的应用场合。
  其低导通电阻可以显著减少导通损耗,从而提高整体效率。
  该器件的快速开关能力减少了开关损耗,并有助于在高频条件下保持高效运行。
  此外,DPAK封装形式提供了良好的散热性能和可靠性,便于安装和使用。
  它还具有较低的输入电容,简化了驱动电路设计并降低了驱动功耗。

应用

RB400DT146广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动控制
  - LED照明驱动
  - 负载切换电路
  - 工业自动化控制
  - 消费类电子产品中的电源管理部分

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RB400DT146参数

  • 产品培训模块Diodes Overview
  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)500mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)550mV @ 500mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F125pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SMD3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RB400DT146DKR