CJAB25N04是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高电流、高电压的开关应用。该器件由华润华晶微电子(华润微电子)生产,属于其功率MOSFET产品系列。CJAB25N04具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和优良的热稳定性等特点,适用于各种电源管理和功率控制电路。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):150A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤4.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装形式:TO-263(D2Pak)或TO-220
最大耗散功率(Pd):250W
CJAB25N04 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构,使其具备极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件在高电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性,从而降低系统功耗并提高整体效率。此外,CJAB25N04具有较强的抗雪崩击穿能力和较高的短路耐受性,适用于严苛的工作环境。
该MOSFET的封装形式通常为TO-263或TO-220,便于在PCB上安装并实现良好的散热性能。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计,包括PWM控制、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
在可靠性方面,CJAB25N04通过了严格的工业标准测试,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。该器件具有良好的抗静电能力(ESD)和高温稳定性,适合用于工业控制、汽车电子、电源供应器和消费类电子产品。
CJAB25N04广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器
- 电机驱动和直流电动工具
- 电池管理系统(BMS)
- 高电流负载开关和继电器替代方案
- 工业自动化设备和伺服驱动器
- 新能源系统如太阳能逆变器和储能设备
- 电动车和电动自行车的控制系统
由于其高电流承载能力和低导通损耗,CJAB25N04特别适用于需要高效率和高可靠性的功率管理电路。
IRF1404、Si4410BDY、IPD012N04LG、FDMS86101、CJAB25N06