时间：2025/8/6 3:09:26
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CPC7583BD是一款由Clare公司（现为Microchip Technology子公司）制造的双通道、高速、低侧和高侧MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为驱动N沟道MOSFET而设计，广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子系统中。CPC7583BD采用CMOS工艺制造，具备高驱动能力和出色的抗干扰性能，能够在高频条件下稳定工作。其封装形式为16引脚SOIC，便于在各种PCB设计中使用。
工作电压范围：4.5V至20V
输出电流能力：典型值为1.2A（峰值）
传输延迟时间：典型值为20ns
上升时间：典型值为8ns
下降时间：典型值为6ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：16引脚 SOIC
输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
驱动器类型：高侧和低侧双通道MOSFET驱动器
CPC7583BD具有多个显著的性能特点，首先是其双通道结构，允许同时驱动两个N沟道MOSFET，分别用于高侧和低侧配置。这使得该芯片非常适合用于半桥结构的功率转换拓扑中。
其次，CPC7583BD具备宽广的工作电压范围（4.5V至20V），使其适用于各种电源应用，包括电池供电系统和标准DC电源系统。此外，芯片内部采用了高速CMOS技术，确保了快速的开关响应，传输延迟时间仅为20ns，上升和下降时间分别低至8ns和6ns，适用于高频开关应用。
该芯片还具有良好的抗噪声干扰能力，确保在高电磁干扰（EMI）环境下依然稳定工作。输入端兼容TTL和CMOS电平，便于与各种控制器连接。
最后，CPC7583BD内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时，自动关闭输出，防止MOSFET在非理想条件下工作，提高了系统的可靠性和安全性。
CPC7583BD广泛应用于多种功率电子系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、UPS（不间断电源）、逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高速驱动能力和双通道结构使其成为半桥拓扑结构中的理想选择，尤其适合需要高频开关和高效能转换的应用场景。
Si8235BD-C-ISR, IR2110SPBF, LM5112MMX, NCP81075BDR2G
