DFF50C6 时间：2025/9/6 22:26:42 阅读：24

DFF50C6 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高电流、高效率的电源管理应用而设计，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于多种电力电子设备。

参数

类型: N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds): 60V
　　栅源电压 (Vgs): ±20V
　　连续漏极电流 (Id): 50A
　　导通电阻 (Rds(on)): 0.018Ω（典型值）
　　功率耗散 (Ptot): 160W
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　封装类型: TO-220 或 D2PAK

特性

DFF50C6 具备多项优良特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达 50A 的连续漏极电流，能够处理高功率负载。该 MOSFET 的高耐压能力（60V）使其适用于多种电源转换器和电机控制电路。DFF50C6 还具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。其封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）便于散热和安装，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高系统响应速度。此外，其栅极驱动电压范围宽广，适用于多种驱动电路。DFF50C6 还具备良好的短路耐受能力，确保在异常条件下不会轻易损坏。这些特性使得 DFF50C6 在 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动和负载开关等应用中表现出色。

应用

DFF50C6 广泛应用于各种需要高效功率控制的电子系统中。常见应用包括：开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统 (BMS)、负载开关、逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统（如电动助力转向、车载充电器等）。由于其高电流能力和良好的热管理性能，该器件特别适合需要高可靠性和高效率的高性能功率系统。