CJ4404SP是一款由国产厂商设计和生产的MOS场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET),主要用于功率开关应用。该器件采用N沟道结构,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高效率开关电源系统中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):≤5.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
CJ4404SP具有优异的导通性能和开关特性,其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,具有较高的电流密度和良好的热稳定性。
此外,CJ4404SP的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计,同时具备较强的抗过载能力和短路保护性能,能够在复杂的工作环境下保持稳定运行。
在封装方面,CJ4404SP采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,适合表面贴装工艺,广泛应用于各类电源和功率控制电路中。
CJ4404SP适用于多种功率电子设备,包括但不限于:电源适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、LED驱动电源、UPS不间断电源系统以及工业自动化控制设备中的功率开关模块。
Si4404BDY-T1-GE3, IRF7404PBF, AO4404, FDS4404