存储类型：NAND Flash + DRAM
　　容量：16GB NAND + 1GB DRAM
　　封装类型：FBGA
　　工作温度：-40°C至85°C
　　接口：ONFI 2.3（NAND）, LPDDR2（DRAM）
　　电源电压：NAND - 3.3V，DRAM - 1.5V / 1.8V
　　数据传输速率：NAND - 最高400Mbps，DRAM - 最高800Mbps
　　

16EMCP16-ML3GM610的主要特性包括高性能的NAND闪存和低功耗DRAM的集成，使得该器件在存储和数据处理方面表现出色。其NAND部分支持ONFI 2.3接口标准，提供了高达400Mbps的数据传输速率，能够满足高吞吐量应用的需求。同时，DRAM部分采用LPDDR2技术，工作频率最高可达800Mbps，显著降低了系统功耗并提升了数据访问效率。此外，该芯片支持多种纠错码（ECC）功能，确保了数据的完整性和可靠性。其紧凑的FBGA封装设计不仅节省了PCB空间，还增强了系统的机械稳定性和耐用性。由于其高度集成的设计，16EMCP16-ML3GM610能够有效减少外围元件的数量，从而降低整体系统成本并提高设计的灵活性。
　　该器件的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于各种恶劣的工业环境。同时，其低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色，延长了设备的续航时间。此外，该芯片还支持多种电源管理模式，能够根据系统需求动态调整功耗，进一步优化能效。

16EMCP16-ML3GM610主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的嵌入式系统和移动设备。典型的应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业控制设备以及车载信息娱乐系统。其高集成度和紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景，同时其强大的数据处理能力和低功耗特性也使其成为高性能计算和数据密集型应用的理想选择。此外，该器件还可用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备中，支持快速数据存储和处理，提升整体系统性能和响应速度。

16EMCP08-ML2AM118, 16EMCP16-ML2AM612