类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

CJ2307-S7具有多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件采用先进的沟槽式工艺，提升了电流承载能力和热稳定性，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　此外，CJ2307-S7的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V或+12V驱动电压，兼容多种控制电路。该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或电压尖峰情况下提供一定的保护作用。
　　由于采用SOT-23封装，CJ2307-S7具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该封装也便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
　　在可靠性方面，CJ2307-S7通过了工业级可靠性测试，包括高温高湿、温度循环、ESD抗扰度等测试项目，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种应用场景。

CJ2307-S7常用于各类电源管理系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池充电与保护电路等。在负载开关应用中，它可作为高效能的电子开关，实现对负载的快速控制和隔离。在电机驱动、LED驱动、手持设备电源管理等领域，CJ2307-S7也有广泛应用。
　　此外，该MOSFET还可用于热插拔电路、电源多路复用、逆变器以及功率放大器设计中。其优异的性能和小型封装使其成为对空间和效率要求较高的消费类电子产品、工业设备以及车载电子系统的理想选择。

Si2307DS、AO3400、FDMC8010、FDN340P、IRLML2502