容量：2Gb
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　电压：1.1V / 0.6V
　　接口：x16位宽
　　时钟频率：850MHz
　　封装形式：FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

K7M161825A-QC850 以其高性能和低功耗设计而著称，特别适合对电源管理和性能要求严格的移动设备应用。其核心特性之一是采用了LPDDR4X标准，相比上一代LPDDR4技术，在保持相同性能的同时进一步降低了运行功耗。此外，它具备高速的数据传输能力，最高可达850MHz的时钟频率，从而实现每秒高达6.8Gbps的数据速率，为系统提供充足的内存带宽。
　　该芯片内置了多种低功耗管理机制，如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）以及部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR），这些功能可以根据系统的实际需求动态调整内存的工作状态，从而有效延长设备的电池续航时间。另外，它还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），确保在不同环境温度下都能维持稳定的数据存储。
　　从物理结构来看，K7M161825A-QC850 采用小型化的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，有助于减少PCB板空间占用，满足现代移动设备对于轻薄化设计的需求。同时，其工作温度范围覆盖 -40°C 至 +85°C，适应各种严苛的应用环境。

K7M161825A-QC850 主要应用于需要高效能与低功耗内存解决方案的移动设备中，例如旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及便携式游戏机等。由于其出色的性能表现和能效优势，也常见于某些嵌入式计算平台、车载信息娱乐系统（IVI）以及工业自动化控制设备中的高性能处理器配套内存模块中。
　　在高端智能手机设计中，该芯片能够为多任务处理、高清视频播放、复杂图形渲染以及大型应用程序运行提供充足且快速的内存支持。而在便携式设备领域，其低功耗特性有助于提升整体设备的电池续航能力，使用户能够在不频繁充电的情况下享受流畅的操作体验。
　　此外，该器件还可用于需要临时数据缓存和高速访问的边缘计算设备，为AI推理、图像识别以及其他智能算法提供必要的内存支撑。

K3UH5H5CD0-A300