时间：2025/7/25 13:59:40
阅读：35
1PMT4112C/TR13是一种表面贴装的功率MOSFET晶体管，设计用于高电流和高频率的应用。这款器件采用了先进的制造技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源管理和电机控制等需要高效率和高性能的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：0.044Ω
栅极电荷(Qg)：8.5nC
封装类型：SOT-23
1PMT4112C/TR13的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率；高开关速度使其适用于高频操作；表面贴装封装则便于自动化生产并节省PCB空间；此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性。
该器件的工作温度范围宽，通常可在-55°C至150°C的范围内正常工作，适合各种工业和汽车应用。其坚固的设计和优良的性能指标使其成为众多高要求应用的理想选择。
1PMT4112C/TR13广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种便携式电子产品中。它的高效率和小尺寸使其特别适合用于空间受限的设计，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备的电源管理系统。
Si2302DS,TSM2302C
