时间：2025/11/12 14:23:31
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CIG32W1R0MNE是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装硅PIN二极管，专为高频和高速开关应用设计。该器件采用SOD-323封装，具有小型化、低电容和快速恢复特性，适用于需要高效信号控制和低功耗的现代电子系统。其主要特点是具备1A的峰值正向电流能力以及较低的正向导通电压，使其在射频（RF）开关、数字通信系统和脉冲电路中表现出色。此外，该二极管的反向击穿电压为75V，最大反向漏电流在额定条件下仅为5μA，确保了在高阻抗状态下的稳定性和可靠性。CIG32W1R0MNE广泛应用于便携式设备、无线通信模块、电视调谐器、天线切换电路以及其他对空间和性能要求严苛的应用场景。由于其优异的高频响应能力和紧凑的封装形式，它成为替代传统通孔二极管的理想选择，并支持自动化贴片生产工艺，提高了生产效率和产品一致性。
型号：CIG32W1R0MNE
类型：PIN二极管
封装/包装：SOD-323
是否无铅：是
是否环保：是
最大正向平均电流：1 A
最大重复峰值反向电压：75 V
最大直流阻断电压：75 V
最大正向电压（IF=10mA）：1.2 V
最大反向电流（VR=25V, TA=25°C）：5 μA
结温范围：-55°C 至 +150°C
储存温度范围：-55°C 至 +150°C
最大反向恢复时间：4 ns
典型结电容（f=1MHz, VR=4V）：0.9 pF
CIG32W1R0MNE作为一款高性能的表面贴装PIN二极管，具备出色的高频特性和快速开关能力，广泛适用于射频与微波领域的信号控制应用。
其核心结构为P型-本征-N型（PIN）构造，其中引入的宽本征层显著提升了载流子存储效应和电荷控制能力，从而实现了较低的串联电阻和高度可控的电抗特性，这使得该器件在高频率下仍能维持稳定的阻抗匹配和良好的隔离性能。这种结构还赋予其优异的线性度和低失真表现，适合用于高保真信号路径中的开关或衰减功能。
该二极管的最大重复峰值反向电压为75V，在正常工作条件下可提供可靠的电压阻断能力，同时在反向偏置状态下展现出极低的漏电流（典型值仅为5μA），有助于降低静态功耗并提升系统的整体能效。正向导通时，其压降在10mA电流下不超过1.2V，表明具有较低的功耗和热生成，有利于提高长期运行稳定性。
更值得注意的是，CIG32W1R0MNE的典型结电容仅为0.9pF（测试条件为1MHz、4V反向电压），这一数值远低于普通整流二极管，使其能够在GHz级别的高频环境中有效减少信号损耗和串扰，特别适合用于UHF/VHF频段的射频开关、天线复用器和调谐电路。
其反向恢复时间短至4ns，意味着在高速数字或脉冲应用中能够实现快速的状态切换，避免因延迟导致的信号畸变或能量浪费。结合SOD-323小型化封装，不仅节省PCB布局空间，而且具备优良的热传导性能和机械强度，适应回流焊工艺要求，满足现代电子产品对微型化和高集成度的需求。
CIG32W1R0MNE主要用于高频模拟与数字混合信号系统中，尤其适用于射频开关、天线切换模块、电视和机顶盒调谐器、无线局域网（WLAN）前端电路、蜂窝通信设备以及便携式消费类电子产品。
在射频开关应用中，该二极管利用其低电容和快速响应特性，实现发射与接收通道之间的高效切换，确保信号路径的低插入损耗和高隔离度，提升通信质量。
在天线复用设计中，多个CIG32W1R0MNE可以构成多路选择网络，根据控制信号动态调整天线连接路径，广泛应用于双模或多频段移动终端设备。
此外，它也常被用于自动增益控制（AGC）电路、可变衰减器、脉冲整形网络以及高速数字逻辑接口中的箝位保护，凭借其稳定的电气参数和可靠的温度适应性，保障复杂工况下的系统运行安全。
由于其符合RoHS环保标准且采用无铅封装，适用于出口型电子产品和绿色制造流程，支持全球市场的合规需求。
MMBD10V-7-F
1SMA5916BT3G
BAS70-04
