时间：2025/4/27 12:45:12
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LDC18897M20B-320是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用增强型GaN FET技术，能够显著提高功率转换系统的效率和功率密度。它适用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电以及工业电机驱动等应用领域。
这款晶体管以极低的导通电阻和快速开关速度著称，从而降低传导损耗和开关损耗，非常适合要求高功率密度和高效能的现代电力电子设备。
型号：LDC18897M20B-320
类型：GaN功率晶体管
最大漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：20 A
导通电阻（Rds(on)）：160 mΩ
栅极电荷（Qg）：70 nC
反向恢复时间（trr）：< 40 ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-3
1. 基于氮化镓（GaN）材料，提供更高的开关频率和效率。
2. 极低的导通电阻（160 mΩ），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能，适合高频应用，有效降低电磁干扰（EMI）。
4. 内置保护功能，包括过温保护和短路保护。
5. 高耐压能力（650 V），确保在各种复杂环境下稳定运行。
6. 采用标准TO-247-3封装，便于系统集成与散热设计。
1. 开关电源（SMPS）：
提供高效、紧凑的解决方案，尤其适用于数据中心和服务器电源。
2. DC-DC转换器：
在汽车电子和通信基站中，用于实现高效率的能量转换。
3. 工业电机驱动：
通过快速开关特性，优化逆变器的动态响应。
4. 无线充电系统：
提升传输效率，支持更高功率的无线充电应用。
5. 太阳能逆变器：
实现更高效的能量转换，提升光伏发电系统的整体性能。
LDC18897M16B-320, LDC18897M20A-320
