晶体类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：200 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　增益 (hFE)：110 - 800（取决于测试条件）
　　频率响应：250 MHz（最小）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-100

MR2010R 是一款性能优异的高频晶体管，适用于多种高可靠性应用。其核心特性之一是具备高频率响应能力，工作频率可达250 MHz以上，使其非常适合射频（RF）放大器和高速开关电路。该晶体管具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），确保在极端环境下的稳定运行，这在航空航天、军事设备和工业控制系统中尤为重要。
　　MR2010R 的增益范围为110至800，提供多种增益等级选择，适应不同的电路设计需求。其高增益特性有助于提高信号放大效率，减少外部补偿元件的使用，简化电路设计。此外，该晶体管的最大集电极电流为200 mA，能够驱动中等功率负载，适用于音频放大、电源控制和信号处理等应用场景。
　　该器件采用 TO-100 金属封装，不仅提供了良好的热管理性能，还能有效屏蔽电磁干扰（EMI），提升电路的整体稳定性。这种封装形式也使得 MR2010R 在高温环境下仍能保持良好的工作状态，延长器件的使用寿命。

MR2010R 主要用于需要高可靠性和高性能的电子系统中。在射频通信领域，MR2010R 常用于低噪声放大器（LNA）、中频放大器和混频器电路中，以提升信号接收的灵敏度和稳定性。其高频响应能力和高增益特性使其成为无线通信设备中的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，MR2010R 可作为高速开关元件，用于驱动继电器、LED 显示器和小型电机等负载。其高稳定性和宽温度范围使其能够在工业现场恶劣环境中可靠运行。
　　在航空航天和国防电子系统中，MR2010R 被广泛应用于雷达系统、导航设备和通信模块。其高可靠性设计符合 MIL-STD 和 NASA 相关标准，适合在极端温度和振动条件下工作。
　　此外，该晶体管也常用于精密测量仪器、音频放大器和电源管理系统中，为各种电子设备提供稳定的信号处理和功率控制能力。

MR2010R 的替代型号包括 2N3904 和 BC547。