CHDTC643TKGP 是一款由Central Semiconductor公司生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频放大和开关应用,具备良好的性能特性和稳定性,适用于各类电子电路中的信号处理和功率控制。CHDTC643TKGP 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。
类型:NPN晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
最大工作频率(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C至+150°C
CHDTC643TKGP晶体管具有良好的高频响应特性,适合用于射频(RF)和中频(IF)放大电路。其hFE参数在不同工作电流下保持较高的稳定性,确保了在各种工作条件下都能提供可靠的增益性能。此外,该晶体管具备较低的噪声系数,适用于需要高信噪比的模拟信号放大场合。SOT-23封装不仅节省空间,而且具备良好的热稳定性和机械强度,适合在恶劣环境中使用。晶体管的集电极-基极和发射极-基极击穿电压较高,增强了器件的耐压能力,提高了在高压应用中的可靠性。
CHDTC643TKGP 主要应用于高频放大器、射频前端模块、无线通信设备、音频放大器、开关电路以及传感器信号调理电路。由于其优异的高频性能和稳定的工作特性,该晶体管广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信基础设施等领域。
2N3904, BC547, 2N4401