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PEMB19,115 发布时间 时间:2025/9/14 4:23:30 查看 阅读:8

PEMB19,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能、低功耗的双极型晶体管阵列集成电路。该器件集成了多个双极型晶体管,适用于各种模拟和数字电路应用。PEMB19,115 通常用于放大器、开关电路、逻辑门电路和接口电路中,提供高可靠性和紧凑的设计方案。该器件采用标准的集成电路封装,便于在印刷电路板(PCB)上安装和使用。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  制造商:NXP Semiconductors
  封装类型:DIP(双列直插式封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:30 V
  最大基极电流:5 mA
  功耗:300 mW
  增益带宽积:250 MHz
  晶体管数量:4个
  配置:NPN 和 PNP 混合配置

特性

PEMB19,115 是一款专为高性能和低功耗应用设计的双极型晶体管阵列芯片。该器件内部集成了多个不同类型的双极型晶体管,包括NPN和PNP晶体管,能够满足多种电路设计需求。其主要特点包括低功耗运行、高稳定性和宽工作温度范围,使其适用于各种工业和消费类电子设备。
  该器件的每个晶体管都具有良好的电气特性和稳定性,能够在高频条件下保持优异的性能。此外,PEMB19,115 采用标准的DIP封装形式,便于在PCB上布局和焊接,降低了设计复杂性并提高了生产效率。
  由于其内部晶体管的高性能特性,PEMB19,115 可用于构建高增益放大器、高速开关电路以及各种逻辑控制电路。其宽工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性,适用于工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
  此外,该器件还具有良好的抗干扰能力和热稳定性,能够在复杂电磁环境中保持正常工作。PEMB19,115 的设计兼顾了性能与功耗的平衡,是一款适用于多种应用场景的高性能晶体管阵列芯片。

应用

PEMB19,115 主要应用于以下领域:
  工业控制:用于构建放大器、开关电路和逻辑控制电路,实现对工业设备的精确控制。
  通信设备:作为高频放大器或信号处理电路的一部分,用于无线通信和数据传输系统。
  汽车电子:用于车载电子设备中的信号处理和控制电路,提供高可靠性和稳定性。
  消费类电子产品:如音频放大器、传感器接口电路和电源管理系统。
  测试和测量设备:用于构建高精度的测量电路和信号调理电路。
  嵌入式系统:作为微控制器外围电路的一部分,用于实现各种输入/输出控制功能。

替代型号

PEMB19,112; PEMB19,118

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PEMB19,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058915115PEMB19 T/RPEMB19 T/R-ND