型号：CHA2098B99F
　　制造商：华润微电子
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：4.6A
　　脉冲漏极电流IDM：18A
　　导通电阻RDS(on)：18mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：22mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压VGS(th)：0.7V ~ 1.2V
　　输入电容Ciss：450pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：120pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间trr：<10ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　热阻RθJA：200°C/W
　　极性：单N沟道
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1

CHA2098B99F具有卓越的导通特性和动态响应能力，其核心优势体现在极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V条件下可低至18mΩ，显著降低了导通损耗，特别适用于大电流、低电压的应用场景，如锂电池供电系统中的负载开关或同步整流电路。该器件采用先进的沟槽栅极工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力，同时有效抑制了米勒效应，增强了开关过程中的抗干扰能力。
　　在开关性能方面，CHA2098B99F表现出快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频PWM控制下仍能保持高效运行，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。此外，该器件具备良好的体二极管反向恢复特性，反向恢复时间短于10ns，有助于减少换流过程中的能量损耗和电压尖峰，提高系统EMI性能。
　　从可靠性角度看，CHA2098B99F的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的稳定运行，并通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性测试（若适用），具备出色的抗湿、抗高温和抗热循环能力。其封装结构采用铜带连接替代传统金线，提升了散热效率和机械强度，进一步增强了长期使用的可靠性。
　　此外，该器件还具备良好的栅极耐压能力，栅源电压可达±12V，提供了足够的驱动兼容性，可与常见的逻辑电平信号直接接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。整体而言，CHA2098B99F是一款集高性能、高集成度与高可靠性于一体的先进功率MOSFET，满足现代电子产品对小型化、高效化和绿色节能的综合需求。

CHA2098B99F广泛应用于各类中低功率电子系统中，典型用途包括移动设备中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池保护电路和电源路径控制。在便携式电源管理系统中，它常被用于实现高效的同步整流功能，替代传统的肖特基二极管以降低压降和功耗，从而延长续航时间。
　　在DC-DC转换器领域，特别是Buck、Boost及Buck-Boost拓扑结构中，CHA2098B99F凭借其低RDS(on)和快速开关特性，作为主开关管或同步整流管使用，显著提升转换效率，适用于主板供电、FPGA电源、LED背光驱动等场景。
　　此外，该器件也常见于电机驱动模块，特别是在微型直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，承担高速通断任务，确保电机启停平稳、响应迅速。在消费类电子产品如无线耳机充电仓、电动牙刷、智能门锁等产品中，CHA2098B99F用于实现低静态功耗的电源控制，支持待机模式下的极低漏电流。
　　工业控制方面，可用于传感器供电切换、继电器驱动、LED照明调光电路等场合。由于其小型化封装和高功率密度特性，也非常适合PCB空间受限的设计需求，是现代高集成度电源管理方案的理想选择之一。

CHT2098B99F, SI2302DS, AO3400, FDN302P, BSS138