时间：2025/12/28 14:55:12
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2SK3628是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压以及快速开关速度的特点，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制等功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：150W
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220AB、TO-220SIS等
2SK3628具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中损耗更低，提高了系统的整体效率。其高耐压能力使其适用于多种电源转换电路，包括同步整流和DC-DC转换器。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，有助于提高工作频率并减小外围元件的尺寸。封装形式采用TO-220系列，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合工业级应用环境。
器件内部结构优化，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定工作，并具有较强的抗雪崩能力。该器件符合RoHS环保标准，广泛适用于现代绿色电子设备设计。
此外，2SK3628的栅极驱动电压范围较宽，可在+4V至+10V之间正常工作，增强了其在不同控制电路中的兼容性。
2SK3628广泛应用于各种功率电子设备中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及电源管理系统（PSU）。此外，该器件也适用于高效率电源适配器、LED驱动器以及工业自动化控制设备中的高频率开关应用。
由于其高可靠性和优异的热性能，2SK3628也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池供电设备。在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也能提供出色的性能表现。
SiR1000DG-T1-GE3, IRF1010Z, FDP1010N, 2SK3658
