时间：2025/8/13 19:49:35
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LN2306ELT1G是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。LN2306ELT1G通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大值）
连续漏极电流（Id）：6A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：0.036Ω @ Vgs=10V
导通阈值电压（Vgs(th)）：1.1V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP
功率耗散（Pd）：2.5W
LN2306ELT1G具有多项优良特性，首先其采用先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻极低，从而降低了功率损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具有高开关速度，适合高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升整体系统效率。此外，LN2306ELT1G的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。该器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力，确保在高负载条件下依然稳定运行。其TSOP封装形式具有较小的封装体积，适合高密度电路设计，同时具备良好的散热性能。
LN2306ELT1G广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备的电源管理模块。此外，该MOSFET也可用于工业自动化控制、智能家电、LED照明驱动和汽车电子系统等领域。
Si2306DS, AO3400A, FDN340P, IRF7404, FDV301N
