H9CCNNNBLTBLAR-NUD 是由SK Hynix(海力士)生产的一款LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片。该型号专为移动设备和高性能嵌入式系统设计,提供高速数据传输和较低的功耗,适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他需要高效内存管理的电子产品。这款内存芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具备较高的集成度和稳定性。
类型:LPDDR4 SDRAM
容量:4GB
数据速率:3200Mbps
电压:1.1V
封装类型:BGA
引脚数:153
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9CCNNNBLTBLAR-NUD 具备多项先进特性,使其适用于高性能移动设备和嵌入式系统。其核心优势之一是高速数据传输能力,数据速率达3200Mbps,能够有效支持高分辨率显示、多任务处理以及图形密集型应用。此外,该芯片工作电压为1.1V,相比前代产品(如LPDDR3)功耗显著降低,有助于延长设备电池寿命。
该内存芯片采用先进的制造工艺,具有出色的稳定性和可靠性,适用于严苛的工业环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下均能稳定运行。BGA封装形式不仅节省空间,还提升了电气性能和散热效率,适合高密度PCB设计。
LPDDR4架构支持多个bank组(Bank Group)并行操作,进一步提升了数据吞吐量和访问效率。这种设计使得H9CCNNNBLTBLAR-NUD在处理复杂数据流时表现更为优异,满足现代智能设备对内存性能的高要求。
H9CCNNNBLTBLAR-NUD 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等。由于其高速度、低功耗和小尺寸特性,该芯片特别适合用于需要高性能内存解决方案的便携式电子设备。在智能手机领域,该芯片可与高性能应用处理器配合使用,提升整体系统响应速度和多任务处理能力。在工业和车载应用中,其宽温特性和高可靠性确保系统在极端环境下稳定运行。
H9CCNNNBLTBLAR-NUE, H9CCNNNBLTBLAR-NUC, H9CCNNN8LTBLAR-NUD