时间：2025/9/2 1:33:02
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H9CCNNNBLTBLAR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）芯片。该型号专为移动设备和高性能嵌入式系统设计，提供高速数据传输和较低的功耗，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他需要高效内存管理的电子产品。这款内存芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具备较高的集成度和稳定性。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：BGA
引脚数：153
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9CCNNNBLTBLAR-NUD 具备多项先进特性，使其适用于高性能移动设备和嵌入式系统。其核心优势之一是高速数据传输能力，数据速率达3200Mbps，能够有效支持高分辨率显示、多任务处理以及图形密集型应用。此外，该芯片工作电压为1.1V，相比前代产品（如LPDDR3）功耗显著降低，有助于延长设备电池寿命。
该内存芯片采用先进的制造工艺，具有出色的稳定性和可靠性，适用于严苛的工业环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下均能稳定运行。BGA封装形式不仅节省空间，还提升了电气性能和散热效率，适合高密度PCB设计。
LPDDR4架构支持多个bank组（Bank Group）并行操作，进一步提升了数据吞吐量和访问效率。这种设计使得H9CCNNNBLTBLAR-NUD在处理复杂数据流时表现更为优异，满足现代智能设备对内存性能的高要求。
H9CCNNNBLTBLAR-NUD 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等。由于其高速度、低功耗和小尺寸特性，该芯片特别适合用于需要高性能内存解决方案的便携式电子设备。在智能手机领域，该芯片可与高性能应用处理器配合使用，提升整体系统响应速度和多任务处理能力。在工业和车载应用中，其宽温特性和高可靠性确保系统在极端环境下稳定运行。
H9CCNNNBLTBLAR-NUE, H9CCNNNBLTBLAR-NUC, H9CCNNN8LTBLAR-NUD
