CGR0218ZTR13 时间：2025/8/16 4:46:06 阅读：6

CGR0218ZTR13 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力，适用于多种高性能电源管理应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　最大漏极电流（ID）：6.7 A
　　导通电阻（RDS(on)）：21 mΩ（在 VGS = 4.5 V 时）
　　栅极电荷（Qg）：9.5 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP（6 引脚）

特性

CGR0218ZTR13 MOSFET 采用了 Vishay 的 TrenchFET 技术，使得该器件在较小的封装中实现了高性能。其低导通电阻特性显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该 MOSFET 支持高达 6.7 A 的漏极电流，并具有良好的热稳定性，适合在高负载条件下工作。其 20 V 的漏源电压额定值使其适用于低压电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备。
　　TrenchFET 技术的应用不仅提高了器件的电流处理能力，还优化了其整体性能。CGR0218ZTR13 采用 TSOP 封装，体积小巧，适合空间受限的设计。该封装还具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至 PCB，确保器件在高负载下稳定运行。
　　此外，CGR0218ZTR13 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境下的电子设备。其 ±12 V 的栅源电压额定值提供了较大的设计灵活性，允许使用多种栅极驱动方案。

应用

CGR0218ZTR13 MOSFET 主要用于低压功率转换和管理应用，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、便携式电子设备的电源管理系统以及电池保护电路。其低导通电阻和高效率特性使其成为高效能开关应用的理想选择。
　　在同步整流器中，CGR0218ZTR13 可用于提高电源转换效率，减少热量损耗。在 DC-DC 转换器中，该器件能够有效处理高频开关操作，提供稳定的输出电压。在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于负载开关和过流保护电路，延长设备的电池寿命。
　　此外，CGR0218ZTR13 也适用于电机驱动、LED 驱动和电源管理模块等应用。其 TSOP 封装设计使其非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。