时间：2025/9/4 9:33:56
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BM28B0.6-44DS/2-0.35V(51) 是一种高压、高频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件由ROHM Semiconductor生产，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该MOSFET封装为双列直插式（DIP），具有良好的热稳定性和电气性能。
类型：MOSFET（N沟道）
最大漏极电流（ID）：28A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：0.6Ω
封装类型：双列直插式（DIP）
引脚数：44
栅极驱动电压：0.35V
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：150W
BM28B0.6-44DS/2-0.35V(51) 的核心优势在于其低导通电阻和高开关速度，能够在高频率下实现高效的能量转换。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，从而提高了系统可靠性。其DIP封装设计有助于简化PCB布局并增强散热性能，适用于高功率密度的设计需求。该MOSFET还具备较高的电流承载能力，支持在高负载条件下稳定运行。
BM28B0.6-44DS/2-0.35V(51) 广泛应用于各类高效率功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及电源模块等。其高可靠性和优异的电气性能使其成为高性能电源解决方案的理想选择。
IRFZ44N, FDPF0880, Si444N
