时间：2025/8/1 21:26:52
阅读：14
CS4N80A4HD-G是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。CS4N80A4HD-G采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
栅极电压（VGS）：±30V
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CS4N80A4HD-G具备优异的导通和开关性能，得益于其先进的沟槽型MOSFET结构设计，该器件在高频工作条件下依然能够保持较低的开关损耗。其高耐压能力（800V）使其适用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）、LED驱动器和工业控制设备。此外，CS4N80A4HD-G在极端温度环境下仍能保持稳定运行，适用于宽温度范围的应用场景。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其封装形式（TO-252）具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。CS4N80A4HD-G还具备较强的抗静电能力和过热保护功能，进一步提升了系统的稳定性和可靠性。
CS4N80A4HD-G适用于多种高压和高效率电源应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其封装形式适合表面贴装技术，广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统中。
FQP8N80C, STF8NM80, IRF840, 2SK2141
