时间：2025/12/28 16:24:22
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CGHV40100P是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，以及广播和通信设备中的射频功率放大器。CGHV40100P采用先进的LDMOS技术，具有高效率、高增益和良好的线性性能，使其成为现代射频系统中理想的功率放大器选择。
工作频率范围：1.8 MHz至600 MHz
最大漏极电压：125 V
最大漏极电流：1.0 A
最大栅极电压：-20 V至+20 V
输出功率：100 W（典型值）
增益：约20 dB（典型值）
效率：约70%（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-65°C至+150°C
CGHV40100P LDMOS晶体管具有优异的射频性能和可靠性，适用于多种高频功率放大器应用。其高增益和高效率特性使得该器件能够在较宽的频率范围内提供稳定的输出功率。该晶体管的封装设计使其能够有效地散热，从而提高系统的稳定性和寿命。此外，CGHV40100P具有良好的线性度，适用于需要高信号保真的应用场合，如通信系统和广播设备。
该器件的工作频率范围覆盖了从1.8 MHz到600 MHz，适用于多种射频应用。其最大漏极电压为125 V，最大漏极电流为1.0 A，能够承受较高的功率负载。CGHV40100P的高输出功率（100 W典型值）和高增益（20 dB典型值）使其成为高功率射频放大器的理想选择。
CGHV40100P的封装采用TO-247形式，便于安装和散热管理。其工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于各种严苛的工作环境。此外，该器件的高效率（70%典型值）有助于降低系统的功耗和热量产生，从而提高整体系统的可靠性和效率。
CGHV40100P广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器，以及广播和通信设备中的高功率射频放大器。它还可用于射频加热、等离子体生成、射频测试设备和射频能量传输系统。在通信系统中，CGHV40100P可用于基站、中继器和发射机中的射频功率放大器模块。此外，该器件也适用于需要高功率和高效率的射频应用，如雷达系统、测试和测量设备以及射频干扰（RFI）屏蔽设备。
CGHV40100F, CGHV40100S
