CGH55015F2/P2 时间：2025/9/11 6:55:50 阅读：3

CGH55015F2/P2 是 CREE（现为 Wolfspeed）生产的一款 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高功率射频应用设计。这款晶体管利用了 Wolfspeed 先进的碳化硅（SiC）基板上生长 GaN 的技术，具有高功率密度、高效率和优异的热管理能力。CGH55015F2/P2 主要用于商业和工业射频功率放大器，如无线基站、广播设备和测试仪器等。

参数

类型：GaN HEMT
　　封装类型：陶瓷金属封装（Flanged Package）
　　频率范围：DC - 4 GHz
　　输出功率：15 W
　　漏极电压：65 V
　　工作电流：350 mA
　　增益：>12 dB @ 2.7 GHz
　　效率：>60% @ 2.7 GHz
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　封装尺寸：符合行业标准
　　热阻（Rth）：2.5°C/W

特性

CGH55015F2/P2 在性能和可靠性方面表现出色。其基于 GaN-on-SiC 的技术提供了优越的热传导性能，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。该器件可在高达 65 V 的漏极电压下工作，使其在高功率应用中具有更高的输出能力和效率。此外，该晶体管具有宽频率响应，适用于从 DC 到 4 GHz 的射频功率放大应用。在 2.7 GHz 典型工作频率下，其功率增益超过 12 dB，效率高达 60%，非常适合高效率功率放大器设计。
　　该器件采用金属陶瓷封装，具有良好的机械稳定性和热稳定性，能够在恶劣环境下稳定工作。输入和输出匹配电路已内置，简化了设计流程并减少了外部元件数量。此外，CGH55015F2/P2 具有良好的线性度和失真性能，适用于需要高信号完整性的通信系统。

应用

CGH55015F2/P2 广泛应用于各类射频功率放大系统，包括无线基站、广播发射机、工业加热设备、等离子体发生器以及测试与测量设备。其高效率和高功率密度特性使其成为需要紧凑型高功率射频解决方案的理想选择。在通信基础设施中，它可用于 LTE、WiMAX 和 5G 前向放大器设计。在工业领域，该晶体管可用于射频能量应用，如材料处理和干燥系统。此外，它也适用于军事和航空航天领域的高可靠性射频系统。